فایل کامل و عالی بررسی چگونگی یون گیری واکنشی

مقدمه :
یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر
سخنران: Herbert H.Sawin
پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA

پیشنهادهای فهرست شده سمینار:    July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست
•    ارزیابی های سمینار
•    معرفی سمینار
•    طرح کلی سمینار
•    شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
•    زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
•    روند کار و نوع سمینار
•    اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
•    اطلاعات ثبت نام
•    آموزش در سایت
•    یادداشتهای نمونه سمینار
•    مقالات اخیر ساوین
•    تماس ها برای سوالات
•    ثبت نام در وب سایت
•    اطلاعات ناحیه بوستون
•    سوابق آقای ساوین
 
۱-معرفی
•    فیزیک پلاسما
•    فرآیند ریزالکترونیک
۲-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)
•    مدل سیفتیک گازی
•    مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
•    مدل گازی ساده شده
•    محتوای انرژی
•    نرخ برخورد بین مولکولها
•    مسیر آزاد
•    سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
•    فشار گازی
•    خواص انتقال
•    جریان گاز
•    وضعیت سیال
•    رسانایی رساناها
•    احتمال برخورد
•    پراکندگی گاز- گار
•    پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
•    انتشار ارتجاعی
•    برخورد غیر ارتجاعی
•    نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
•    عکس العمل های فاز- گازی
۳-فیزیک پلاسما
•    توزیع انرژی الکترونی
•    سینتیک همگونی پلاسما
•    مدل توزیع (مارجینوا)
•    مدل توزیع (دروی وشتاین)
•    انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
•    سینتیک گاز رقیق شده
•    شکافت انتشار دو قطبی
•    تجمع غلاف
•    سینتیک ساده غلاف
•    حفاظت یا پوشش «دیبای»
•    تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
•    آزمایش غلاف بوهم
•    خصوصیات میله آزمایش
•    شکست و نگهداری، تخلیه rf
•    تقریب میدان مشابه
•    تقریب میدان غیرمشابه
•    مدل سازی ئیدرودینامیک خودساخته تخلیه rf
•    اندازه گیری تخریب rf
•    مدل توازن الکترونیکی
•    مقایسه تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
•    ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیه rf
•    خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
•    سیستم همگن (متقارن)
•    توزیع ولتاژ در سیستم rf
•    توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
•    مدار معادل تخلیه rf
•    تنظیم الکترودها
•    سینتیک بمباران یونی
•    تخلیه اپتیکی
•    لم اندازه گیری حرکت
•    ریزنگاری تخلیه اپتیکی
•    فرآیند برخورد الکترون
•    برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما

۴-تخلیه های مدار مستقیم (DC)
•    امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی
•    بمباران خنثی امیژن ثانویه
•    عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی
•    ناحیه کاتدی
•    یونیزاسیون در غلاف
•    توزیع انرژی یونها
•    الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع)
•    ناحیه آند
•    مدل سازی پلاسمایی DC
۵-تخلیه های Rf
•    فیزیک پلاسمای rf خازنی
•    فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.
•    فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون
•    فیزیک تخلیه هلیکون

پیکره بندی و سخت افزار رآکتور
•    همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها
•    شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده
•    تنظیم کننده های موج کوتاه
•    رآکتورهای لوله ای
•    رآکتورهای صفحه موازی (دیودی)
•    رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن
•    گیرندگان یون واکنشی
•    گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
•    گیرندگان اشعه یون واکنشی
•    بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین
•    گیرندگان دیودی ارتجاعی
•    رآکتورهای تریودی
•    بایاسینگ Rf
•    محدود کردن مغناطیسی چند قطبی
•    منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی
•    ECR توزیع شده
•    منابع در حال جریان نزولی
•    ماگنترولها
•    مونتاژ کردن لایه لایه ای
•    تبرید برگشتی هلیوم
•    محکم کاری الکترواستاتیک
•    جستجوی نقطه نهایی
•    تجزیه و تحلیل تخلیه اپتیکی
•    ثبت حرکات تداخلی
•    ثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلی
•    مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی
•    فاز گازی
•    تولید اتم اکسیژن
•    بارگزاری رآکتورها
•    واکنشهای سطحی
•    شیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.
•    ارتقاء پلمیری
•    سینتیک مواد نشتی یا رطوبت ده
•    الکترون گیری شیمیایی فزاینده یونی
•    اتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+
•    پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل 
•    مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکون
•    الکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شده
•    الکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شده
•    الکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شده
•    مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.
طیف نگاری تخلیه اپتیکی
•    توده نگاری میکروسکوپی
•    میله آزمایش لانگ میر
•    فلورسنت القایی با لیزر
•    تحلیل امپدانس پلاسمایی
•    ثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده
۸-الکترون گیری جلوه ها
•    ده مبارزه برتر الکترون گیری
•    مکانیزمهای گسترش مقطعی
•    جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما
•    پراکندگی یونی در جوله های خاص
•    تغییر سطوح در جلوه های ویژه
•    الکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگی
•    اتم گیری با القاء یونی
•    اتم گیری خودبخود
•    جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما
•    جابجایی مجدد بوسیله خط دید تولیدات
•    شکست
•    جاذبه بالقوه تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)
•    نسبت منظری الکترون گیری وابسته
•    تجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات
۹-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی
•    مدل سازی سطحی ساده شده
•    خصوصیات شبیه ساز مونت کارلو
•    مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
•    پراکندگی یکنواخت و غیریکنوخت
•    انتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزاینده
•    پراکندگی از قسمت سطح منبع
•    ارتقاء کیفیت سطحی
•    مقایسه نتایج آزمایشی و مدل سازی
•    تجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیله پراکندگی یونها
•    پراکندگی یونی
•    جهت دار شدن یونی
•    زاویه ماسک
•    ترکیب مجدد سطحی
•    جابجایی   از پلاسما
•    تأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهری
•    خشن کردن سطوح در حین اتم گیری
۱۰-تخریب پلاسما
•    آلودگی
•    خصوصیات منحصر به فرد
•    تخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوز
•    تخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکی
•    تخریب چهارچوبها و قابها
•    خوردگی بعد از اتم گیری
۱۱-فرآیندهای اتم گیری
•    الکترون گیری و الکترون دهی اعضا
•    پلی سیلیکون
•    الکترون گیری دروازه ای
•    الکترون گیری اکسیدی
•    الکترون گیری نیتریدی
•    الکترون گیری دی الکتریک با K پائین
•    الکترون گیری آلومینیوم
•    الکترون گیری مس
۱۲-جابجایی
•    انتشار
•    جرقه ها، قوس های الکتریکی، بی ثباتی ها
•    جابجایی انتشار بایاس
•    تنظیم با خط صحیح دید
•    منابع رطوبت ده با غلظت بالا
•    ترکیب و آلیاژ
•    جابجایی انتشاری عکس العملی
•    مقدمه چینی برای هدف
•    جابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسما
•    وسایل و تجهیزات مربوط به VD
•    تمیز کردن اطاقک واکنش
•    عملیات آزمایشی PECVD و ماهیت
•    نیترید سیلیکون
•    دی اکسید سیلیکون
•    آکسی فلورید یدهای سیلیکون
•    اکسیدهای سیلیکون و کربن
•    لایه های پرفلور و کربن
۱۳-پردازش کار با پلاسما در سطو بزرگ
•    جدای یک منبع با فاصله از یک لایه زیرین
•    استفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافته
•    مقیاس گذاری منابع پلاسما
•    منابع پلاسمای خطی
•    منابع جاری پلاسما
۱۴-رآکتورهای لایه لایه ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند
•    وسایل عمل آزمایشی
•    آزمایشات
•    مشخص کردن خصوصیات فرآورده های بعدی
•    مکانیزم پیش بینی شده برای کاهش 
•    استفاده از واحد کاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC)
•    کاهش PFCهای دیگر
•    جمع بندی
•    کاهش پیودهای اندوکسیونی با پلاسما
•    سابقه
•    خلاصه نتایج
•    نمره تحقیقات و نتایج
•    محاسبات سینیک شیمیایی
•    رآکتورهای کاهنده تجارتی
•    رآکتورهای کاهنده تجارتی موج سطحی
۱۵-فرآیند پلاسمای غیر میکروالکترونیک
•    استرلیزه کردن با پلاسما
•    صفحه مدار چاپی از نوع دوتایی که با چسب به هم متصل می شوند
•    مراحل پردازش میکرومکانیکی
•    الکترون گیری عمیق چندگانه ای زمانی
•    الکترون گیری Si در سیستم STS
•    نسبت الکترون گیری
•    نسبت منظری پیامد الکترون گیری RIE وابسته
•    نسبت الکترون گیری ضد نور
•    متحدالشکل بودن
•    عوامل تقویت کننده
۱۶-ضمیمه
۱۷-مرجع ها

مراجع
۱.J.C Arnold and H.H Sawin, J.Apple. Phys. 70, 5314 (1991)
۲.G.S H Wang and K.P. Gipis, J. Vac. Sci. Technol. B15, 70(1996)
۳.T.Kinoshita, M. Hane and J.P. Mcvittie, J.Vac.sci. Technol.B14, 560(1996)
۴.S.M. Sze, physics of Semiconducte Devises, wiley & Sons, N.Y(1981)
۵.D.A. Baglee, Pro,22nd IEEE Rel. Phys. Symp.152(1984)
۶.Y.L. Shen, S.Suresh, and I.A.Bleeh, J.apple.phys.80,1388(1996)
۷.T.Nozawa, T.Kinoshita, T.Nishizuka, A.Narai,,.T. Inooue, and A. Nakaue, Japn.J.Apple. Phys.34, 2107
۸.E.A Ogryzlo, D.E. Ibbotson, D.L. Flamm and L.A.Mucha, J.Appl. Phys.67.3115(1990)
۹.F.Hiule J chem. Phys.79, 4237(1983).
۱۰.K.K.Chi, H.S. Shin, W.J. Yoo, C.O.Jung Y.B. Koh and M.Y. Lee, Jpn, J.A.Appl. Phys. 35, 2440(1996)
۱۱.T.Mara Yama, N.Fajiwara,S.Ogino and M.Y. Yoned, JPn. J.Apple. Phys.36.2526(1997)
۱۲.S.Tabara, Jpn. J.Appl.Phys.35, 2456(1996).